特許
J-GLOBAL ID：200903031070897545

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
猪野 益充

猪野 益充 について

, 
前川 敏一

前川 敏一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181567
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012891
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 レーザアニール工程を改良して薄膜半導体装置に形成される薄膜トランジスタの電気特性を改善する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為、縦方向及び横方向に広がる絶縁基板1の表面に半導体薄膜2を形成する成膜工程と、レーザビーム4を照射して半導体薄膜2を溶融冷却しその再結晶化を行なうレーザアニール工程と、半導体薄膜2を活性層として薄膜トランジスタ17を一定の配列ピッチBで集積形成する加工工程とを行なう。レーザアニール工程では、絶縁基板1の縦方向に沿って帯状に形成されたレーザビーム4のパルスを絶縁基板1に間欠照射し且つその照射領域を部分的に重ねながら絶縁基板1に対して相対的に一定の移動ピッチAで横方向に移動する。この際、レーザビーム4の移動ピッチAを薄膜トランジスタ17の配列ピッチBと等しくするかその整数倍に設定する。さらに、絶縁基板1を予め位置決めして部分的に重なり合う照射領域の境界16が薄膜トランジスタ17のチャネル領域にかからない様にする。
請求項（抜粋）：
縦方向及び横方向に広がる絶縁基板の表面に半導体薄膜を形成する成膜工程と、レーザビームを照射して該半導体薄膜を溶融冷却しその再結晶化を行なうレーザアニール工程と、該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを一定の配列ピッチで集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記レーザアニール工程は、該絶縁基板の縦方向に沿って帯状に形成されたレーザビームのパルスを該絶縁基板に間欠照射し且つその照射領域を部分的に重ねながら絶縁基板に対して相対的に一定の移動ピッチで横方向に移動する際、該レーザビームの移動ピッチを該薄膜トランジスタの配列ピッチと等しくするかその整数倍にする事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268
FI (4件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/268 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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