特許
J-GLOBAL ID：200903029048956657
プラズマCVD装置のクリーニング方法およびプラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045623
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD装置の反応室11の内壁の成膜副生成物のクリーニングをクリーニングガスのプラズマにより行なうに当たり、従来に比べ安価でかつクリーニングガス自体の除害が容易で然もクリーニング副生成物の残留の少ない方法を提供する。【解決手段】 クリーニングガスとして、フッ化水素ガス、或はフッ化水素ガスと希ガスとの混合ガス、或はフッ化水素ガスと酸化性ガスとの混合ガス、或はフッ化水素ガスと希ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いる。
請求項（抜粋）：
減圧可能な反応室と、該反応室内に設けられた電極と、該電極に高周波電力を印加する手段と、前記反応室内へ薄膜作成用のガスを導入する手段とを具えたプラズマCVD装置の反応室内壁等に付着した成膜副生成物を、クリーニングガスの放電プラズマによりクリーニングする方法において、クリーニングガスとしてフッ化水素ガスを用いることを特徴とするプラズマCVD装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
, H01L 21/302 F
, H01L 21/302 B
