特許
J-GLOBAL ID：200903029073180167

強誘電体キャパシタの形成方法及び不揮発性半導体記憶素子の製造方法

発明者：
緒方 信人

緒方 信人 について

, 
伊藤 康幸

伊藤 康幸 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-354710
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186510
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 従来、強誘電体膜の結晶化のために行っていた酸素雰囲気中での熱処理では、スタック型構造においては、下部電極とのコンタクトに用いるポリシリコンプラグや、プラグと下部白金電極と間の拡散を防止するTiN又はTaSiN等のバリアメタルの高温プロセスでの酸化が生じる。【解決手段】 シリコン基板1上に熱酸化膜2及びTiO2密着層3を介して形成された下部Pt電極4上に強誘電体膜であるSrBi2Ta2O9膜7を形成する。次に、不活性ガスである窒素雰囲気中で650〜800°Cで熱処理することで強誘電体膜を結晶化する。次に、強誘電体膜上に上部Pt電極6を形成する。
請求項（抜粋）：
下部電極上に強誘電体膜を形成する工程と、不活性ガス雰囲気中で熱処理することで上記強誘電体膜を結晶化する工程と、上記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする、強誘電体キャパシタの形成方法。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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