特許

J-GLOBAL ID：200903029104300913

半導体薄膜及び半導体薄膜の製造方法

発明者： 佐藤 淳一 ,  碓井 節夫 ,  坂本 安広 ,  森 芳文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269298
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083769
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 従来の多結晶薄膜とは一線を画し高性能で特性の安定したデバイスの作成に好適であってしかもその製造工程も短い時間で十分な半導体薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】 非単結晶薄膜を結晶化するに際して、レーザー照射などの熱処理の条件を絶縁基板1上に薄膜が略規則的に多結晶粒が微小突部3を伴って整列されて形成されるような条件とし、その微小突部3を有した表面状態のままに熱処理することで結晶化が進んだ構造の半導体結晶化薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上に形成された半導体薄膜において、該半導体薄膜の表面に微小突部を有することを特徴とする半導体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (32件)：

5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA06 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA01 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248728   出願人：カシオ計算機株式会社
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260307   出願人：株式会社東芝
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社