特許

J-GLOBAL ID：200903077435422738

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 藤村 尚 ,  後藤 康正 ,  松浦 由紀 ,  今井 信雄 ,  三橋 浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260307
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102863
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】レーザアニール法により多結晶半導体膜を形成する際、レーザ本体の性能の影響を受けずに有効照射エネルギー範囲の拡大、特に上限近くで照射することで充分大きな結晶粒径が得られ、しかも微小結晶を含まず均一性の良い結晶からなる多結晶半導体膜を作製する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 レーザ本体の性能の影響を受けずに有効照射エネルギー範囲の拡大、特に上限近くで照射することで充分大きな結晶粒径が得られ、しかも微小結晶を含まず均一性の良い結晶からなる多結晶半導体膜を作製する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された非晶質の半導体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の製造方法において、前記非晶質半導体膜を溶融再結晶化するに足る十分なエネルギー密度の第1のビームを照射して前記非晶質半導体膜を多結晶化させた後、前記エネルギー密度よりも小さいエネルギー密度の第2のビームを前記多結晶半導体膜に照射して再結晶化することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多結晶シリコン薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248728   出願人：カシオ計算機株式会社
• 多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325177   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体膜のレーザーアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-159949   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭64-025515