特許
J-GLOBAL ID:200903029157541556

半導体ウエハの加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-019734
公開番号(公開出願番号):特開平9-213663
出願日: 1996年02月06日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハ表面への汚染が少ない半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルムを剥離し、更に該ウエハをダイシングする半導体ウエハの加工方法であって、該粘着フィルムが、アクリル系モノマー(a)60〜98.7重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部、及び共重合性とノニオン性界面活性を有する水溶性コモノマー(c)0.3〜10重量部を含むモノマー混合物を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層を有し、且つ、該ウエハ表面に水をかけながらダイシングすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルムを剥離し、更に該ウエハをダイシングする半導体ウエハの加工方法であって、該粘着フィルムが、基材フィルムの片表面に、主モノマー(a)60〜98.7重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部及び一般式(1)〔化1〕【化1】(式中、R1:水素、炭素数が1〜25のアルキル基または炭素数が6〜25のアルケニル基、R2:炭素数が2〜5のアルケニル基、R3:水素または炭素数が2〜5のアルケニル基、R4:炭素数が2〜5のアルキレン基、n:1〜100の整数)で表される水溶性コモノマー(c)0.3〜10重量部を含むモノマー混合物100重量部を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層を有し、且つ、該ウエハ表面に水をかけながらダイシングすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 321 ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/301
FI (4件):
H01L 21/304 321 B ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/78 M
引用特許:
審査官引用 (5件)
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