亜鉛酸化物の加工方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-094319
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285890
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】真性亜鉛酸化物からなる半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造に際し、半導体薄膜の加工精度を良くする。【解決手段】チャネル保護膜5を含む真性亜鉛酸化物からなる半導体薄膜形成用層11の上面にn型亜鉛酸化物からなるコンタクト層形成用層13およびアルミニウムからなるソース・ドレイン電極形成用層14を成膜し、その上面全体にレジスト層15を形成する。次に、露光後に、レジスト用現像液を用いて、レジストパターン15bを形成し、続いて、現像工程を続行し、すなわち、レジスト用現像液を用いて、ソース・ドレイン電極形成用層14、コンタクト層形成用層13および半導体薄膜形成用層11を同一装置内で連続してエッチングする。この場合、形成されるコンタクト層および半導体薄膜にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に亜鉛酸化物層を成膜する工程と、前記亜鉛酸化物層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をレジスト用現像液を用いてエッチングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト用現像液を用いて前記亜鉛酸化物層をエッチングする工程とを有することを特徴とする亜鉛酸化物の加工方法。

IPC (3件)：

H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/306 B , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

Fターム (31件)：

5F043AA18 , 5F043BB30 , 5F043FF06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HM02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252845 出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (7件)

特開平4-006284
特開昭63-094632
特開平4-318932

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