特許
J-GLOBAL ID:200903039133384269
液晶表示素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西教 圭一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-367587
公開番号(公開出願番号):特開2000-187233
出願日: 1998年12月24日
公開日(公表日): 2000年07月04日
要約:
【要約】【課題】 少ない工程数でかつ低い製造コストで、アルカリ性現像液による電食反応の発生を抑制して透明電極から成る接続端子とAl合金から成る反射電極を形成して良好な反射特性を得る。【解決手段】 液晶表示素子は、一対の基板部材24a,25の間に液晶層26を介在する。一方基板部材24aは、絶縁性基板1の上に、たとえばITO、ZnO、SnO2およびIn2O3-ZnOで実現される透明電極膜から成る接続端子16,17を形成する工程、端子16,17を覆ってW含有量が1〜10at%のAl-W合金膜を30〜150nmの膜厚で形成する工程、該合金膜上にポジ型レジスト膜を形成する工程、レジスト膜を所定パターンに露光する工程、露光部分のレジスト膜とその部分の合金膜とをアルカリ性現像液(TMAH)で除去して反射電極23を形成する工程および残余のレジスト膜を除去する工程で製造される。
請求項(抜粋):
一対の基板部材の間に液晶層を介在する液晶表示素子の製造方法であって、一対の基板部材のうちのいずれか一方基板部材は、絶縁性基板上に、反射電極と、液晶表示素子の駆動手段用の接続端子とを少なくとも備える液晶表示素子の製造方法において、一方基板部材の製造工程は、a)絶縁性基板上に、透明電極膜から成る接続端子を形成する工程と、b)接続端子を覆ってAl(アルミニウム)-W(タングステン)合金膜を形成する工程と、c)Al-W合金膜上にポジ型レジスト膜を形成する工程と、d)レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、e)レジスト膜とAl-W合金膜とをアルカリ性現像液でパターニングすることでAl-W合金膜から成る反射電極を形成する工程と、f)残余のレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (3件):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
FI (3件):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
Fターム (73件):
2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB56
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB14
, 2H092KB23
, 2H092KB24
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA01
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA12
, 2H092QA07
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG04
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK15
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110NN03
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN44
, 5F110NN46
, 5F110NN47
, 5F110NN54
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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