低抵抗ルテニウム層の低温化学気相成長

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-504180
公開番号（公開出願番号）：特表2008-538129
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

Cuメタライゼーション段階での、バリヤ/シード層として利用可能な低抵抗ルテニウム金属層の低温化学気相成長法。当該方法(300)は、堆積システム(1,100)のプロセスチャンバ内に基板(25,125)を供する工程、ルテニウムカルボニル先駆体蒸気を含むプロセスガス及びCO含有ガスを生成する工程、並びに熱化学気相成長法によって、基板(25,125)をプロセスガスに曝露して、基板(25,125)上に低抵抗ルテニウム金属層(440,460)を堆積する工程、を有する。曝露中、基板(25,125)は約100°Cから約300°Cの間の温度に維持されている。1以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を含む、パターニング基板上に形成されたルテニウム金属層(440,460)を有する半導体素子が供される。

請求項（抜粋）：

基板上にルテニウム金属層を低温で堆積する方法であって: 堆積システムのプロセスチャンバ内に基板を供する工程; Ru3(CO)12先駆体蒸気及びCO含有ガスを含むプロセスガス生成する工程;並びに熱化学気相成長法によって、約100°Cから約300°Cに維持された前記基板を前記プロセスガスに曝露することで、前記基板上に低電気抵抗ルテニウム金属層(440,460)を堆積する工程; を有する方法。

IPC (5件)：

C23C 16/16 , H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (4件)：

C23C16/16 , H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/88 R

Fターム (53件)：

4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BB01 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA22 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD75 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ34 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033QQ48 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX10 , 5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願第10/996145号明細書

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086930 出願人：株式会社日立製作所
特許第6737313号
金属カルボニル前駆体からの金属層の成膜速度を上げる方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-543038 出願人：東京エレクトロン株式会社, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレイション

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Low-temperature chemical vapor deposition and scaling limit of ultrathin Ru films

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