特許

J-GLOBAL ID：200903029247918357

ワークの研磨方法及びワーク研磨装置

発明者： 小平 真夫 ,  中村 三喜男 ,  木田 隆広
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325763
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196340
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 研磨液によるワーク表面の浸食を防ぐとともに、洗浄工程において使用する洗浄液を少なくでき、また短時間で効率的にパーティクルを除去できるように、研磨終了後、表面にピットがほとんど形成されず、また、パーティクル付着量が少なく、そのバラツキもほとんど無いワークとする。【解決手段】 研磨布に研磨液を供給すると共にワークを研磨布に押圧しながら該研磨布との間で相対運動させて複数のワークを研磨する方法において、押圧を0にして研磨を終了したワークを45秒以内に研磨布から離脱させることを特徴とするワークの研磨方法。複数のワークを同時に研磨する場合には、好ましくは、押圧を0にして研磨を終了したワークのみを研磨布から離脱させる一方、他のワークの研磨を継続し、順次押圧が0にされて研磨布から離脱させる。

請求項（抜粋）：

研磨布に研磨液を供給すると共にワークを研磨布に押圧しながら該研磨布との間で相対運動させてワークを研磨する方法において、押圧を0にして研磨を終了したワークを45秒以内に研磨布から離脱させることを特徴とするワークの研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/04 G

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AB03 ,  3C058AC05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB06 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨方法及び研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-088711   出願人：株式会社ニコン
• 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011399   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体ウェハの研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-354794   出願人：コマツ電子金属株式会社