半導体レーザ素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：遠山勉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231139
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】従来の弱導波レーザ、LOC(SCH)構造レーザが持っていた導波モードの制御のデバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図る。【構成】活性層の両側に、前記活性層の導波機能を低減するキャリアブロック層を設け、前記キャリアブロック層の両外方には導波層を設け、前記導波層をクラッド層の両外方に設け、前記活性層はサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層、またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記量子井戸層の組成をGa<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>As(0.6<y<1.0)とし、前記キャリアブロック層を前記導波層の材料よりバンドギャップが大きくかつ屈折率の低い材料で構成した。

請求項（抜粋）：

活性層の両側に、前記活性層の導波機能を低減するキャリアブロック層が設けられ、前記キャリアブロック層の両外方には導波層が設けられ、前記導波層の両外方にクラッド層が設けられ、前記活性層はサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記量子井戸層の組成はGa<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>As(0.6<y<1.0)であり、前記キャリアブロック層は前記導波層の材料よりバンドギャップが大きくかつ屈折率の低い材料からなることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-133781
特開昭61-015385
特開昭55-096695

全件表示

前のページに戻る