特許
J-GLOBAL ID：200903029265517645
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273236
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180475
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルのしきい値電圧分布を細かく制御できる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 プログラム後のプログラム検証のときに選択メモリセルのワードラインへプログラム基準電圧PVref を提供すると共に非選択メモリセルのワードラインへパス電圧Vpassを提供するプログラム検証制御回路20を設け、PVref を可変調節することによりプログラムセルを通って流れる感知電流Isが制御されてプログラムセルのしきい値電圧検証レベルが調整されるようになっている。また、消去後の消去検証のときに消去メモリセルを通った後の感知電流Isの量を消去基準電圧EVref に従って制御する消去検証制御回路10を設け、EVref を可変調節することにより消去メモリセルのしきい値電圧検証レベルが調整されるようになっている。
請求項（抜粋）：
消去によりネガティブのしきい値電圧とされ且つプログラムによりポジティブのしきい値電圧とされるフローティングゲートトランジスタのメモリセルを複数直列接続したNAND形のセル構造を有し、ビットラインから感知電流を流してメモリセルのしきい値電圧に応じた前記感知電流の変化を感知することでデータを読出すようにした不揮発性半導体メモリ装置において、消去後の消去検証のときに消去メモリセルを通った後の前記感知電流量を消去基準電圧に従って制御する消去検証制御回路が設けられ、前記消去基準電圧を可変調節することにより消去メモリセルのしきい値電圧検証レベルが調整されるようになっていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
引用特許：
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