半導体放射線検出装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047576
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275223
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】エネルギー帯域の異なる放射線検出ができる検出器を提供する。【解決手段】 PINダイオード1を絶縁体よりなるスペーサ2を介して多数積層し、放射線はPINダイオード1の広い面に対し垂直に入射する。

請求項（抜粋）：

第1導電型シリコン半導体基板に第2導電型不純物領域を有する半導体基板を積層し、放射線を前記半導体基板の第2導電型不純物領域を有する面に垂直に入射し、得られた信号を各半導体基板ごとに独立に検出することにより異なるエネルギー帯域の放射線を検出することを特徴とする半導体放射線検出装置。

IPC (4件)：

H01L 31/09 , G01J 1/02 , G01T 1/24 , H01L 27/14

FI (4件)：

H01L 31/00 A , G01J 1/02 B , G01T 1/24 , H01L 27/14 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

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