特許
J-GLOBAL ID:200903029294058161
ガスウィンドウ及び化学気相成長装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-039841
公開番号(公開出願番号):特開2006-225705
出願日: 2005年02月16日
公開日(公表日): 2006年08月31日
要約:
【課題】 基板が吸着されにくく、生産性が優れたガスウィンドウ及び化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】 中心部にレーザ光照射部3を形成し、その近傍に原料ガス8を基板10上に供給するための原料ガス出口4aを備えた原料ガス供給部を設ける。また、基板10側の面にレーザ光照射部3及び原料ガス出口4aを囲むように形成され、吸引ガス出口に連通された円形状の環状溝5及び6を備えたガス吸引部を設ける。そして、ガス吸引部における環状溝6の外縁を形成するリブ7の表面に、内側から外側に貫通する4本の横断溝7a乃至7dを等間隔に形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板とレーザ光源との間に配置されるレーザ化学気相成長装置用のガスウィンドウにおいて、前記レーザ光源から出射したレーザ光を透過して前記基板に照射するレーザ光照射部と、前記基板に向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口と、前記基板側の面に前記レーザ光照射部と前記原料ガス供給口とを囲むように形成された環状溝を備えたガス吸引部と、前記環状溝の外縁を形成する凸部に設けられ前記凸部の内側から外側に貫通する横断溝と、を有することを特徴とするガスウィンドウ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA07
, 4K030KA36
, 4K030KA37
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
レーザCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-136925
出願人:日本電気株式会社
-
レーザ加工方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-148353
出願人:日本電気株式会社
審査官引用 (6件)
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