特許

J-GLOBAL ID：200903029335504309

多結晶半導体膜の製造方法およびその装置

発明者： 三橋 浩 ,  中村 篤史 ,  平田 教行 ,  安達 紀之 ,  蛭田 郁夫 ,  宝角 肇 ,  福田 加一 ,  松中 繁樹 ,  大本 信繁
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079224
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280303
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりを向上できるポリシリコン膜の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板3の一主面に向けてN2OプラズマPを照射して、ガラス基板3の一主面に付着した有機物を除去する。有機物を除去したガラス基板3の一主面にアモルファスシリコン膜を成膜することにより、有機物を的確に除去できる。

請求項（抜粋）：

基板にプラズマを照射し有機物を除去する有機物除去工程と、前記基板上に非晶質半導体膜を形成する非晶質半導体膜形成工程と、前記非晶質半導体膜にレーザを照射し多結晶半導体膜とするレーザ照射工程と、を有することを特徴とする多結晶半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (53件)：

5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004EA10 ,  5F004FA08 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EF05 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 薄膜半導体素子の製造方法及び薄膜半導体形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-201974   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-093425   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-067350   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271150   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-034459
  
• レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-301251   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所