特許
J-GLOBAL ID：200903029347371541
バンプ構造、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065821
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273956
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】高い接合信頼性を有するバンプ構造を提供すること、該バンプ構造を有する半導体チップを提供すること、また、該半導体チップを備えた半導体装置、電子デバイス、電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体チップ1Aは、基板2と、電極パッド3と、パッシベーション膜4と、電極膜5と、ろう材層6とを備えている。電極膜5は、それぞれ無電解めっきによって形成されたNi層51とCu層52とを有している。Cu層52の厚さは、3〜50μmであるのが好ましい。また、Cu層52は、ろう材層6の形成に先立ち、プリフラックス処理が施されたものであるのが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
無電解めっきによって形成され、主としてNiで構成されたNi層と、
前記Ni層上に形成され、主としてCuで構成されたCu層とを有する電極膜を備えたことを特徴とするバンプ構造。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/92 603D
, H01L21/92 604R
