特許
J-GLOBAL ID：200903020503785460
バンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279578
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203869
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 パッドの狭ピッチに対応し、かつ、無電解メッキの処理に耐性を有するバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 バンプの形成方法は、パッド12の上方に貫通穴22を有するようにレジスト層20をパターニングする工程と、レジスト層20に架橋反応を生じさせるエネルギー36を加えてレジスト層20の少なくとも表面を硬化させる工程と、貫通穴22内にパッド12と電気的に接続する金属層40、42を形成する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
パッドの上方に貫通穴を有するようにレジスト層をパターニングし、前記レジスト層に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えて前記レジスト層の少なくとも表面を硬化させ、前記貫通穴内に前記パッドと電気的に接続する金属層を形成することを含むバンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H05K 3/34 505
H05K 3/34 505 A
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 D
5E319AC16
, 5E319AC17
, 5E319BB04
, 5E319CC33
