特許
J-GLOBAL ID:200903029367457701

微細厚膜接続基板とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-002179
公開番号(公開出願番号):特開平9-191164
出願日: 1996年01月10日
公開日(公表日): 1997年07月22日
要約:
【要約】【課題】 高密度かつ高信頼性なLSI・液晶の接続基板を提供する。【解決手段】 表面に金属拡散層が形成された導体パターンが絶縁基板に埋め込まれており、導体パターンは拡散防止金属を介してのみ絶縁基板面に露出している微細厚膜接続基板である。【効果】 パターンギャップを狭くする拡散防止金属を予めパターン形成レジストの開口幅内に形成しているのでマイグレーションを防止しつつ、厚膜で高密度な接続基板が得られる。
請求項(抜粋):
少なくとも1カ所以上配線ピッチが80μm以下で、その箇所の導体厚みが配線ピッチの1/2以上である微細厚膜接続基板であって、導体パターンの絶縁材料と接触していない部分が金の拡散を防止できる第1の金属層に覆われており、かつ第1の金属層を含めて導体パターンが同一の絶縁材料に埋め込まれ、更に導体パターンの一部の表面には金またはその合金からなる第2の金属層が形成されていることを特徴とする微細厚膜接続基板。
IPC (2件):
H05K 1/09 ,  H05K 3/20
FI (2件):
H05K 1/09 C ,  H05K 3/20 B
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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