特許
J-GLOBAL ID：200903029383749844

半導体装置の製造方法

発明者：
梅津 一成

梅津 一成 について

, 
中山 敏紀

中山 敏紀 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135779
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体マルチチップパッケージにおける共通電極パッド同士の導通をスルーホールを介して極めて容易に実現する。【解決手段】 信号入出力用の電極パッド部分にスルーホールを形成した半導体チップを前記スルーホールが一直線上に配列するように複数枚積層する。当該一直線上に配列したスルーホールの開口から導電樹脂を加圧供給することにより、一括して導電樹脂を埋め込み封入して各電極パッドを導通する柱状導電樹脂シャフトを形成する。
請求項（抜粋）：
信号入出力用の電極パッド部分にスルーホールを形成した半導体チップを前記スルーホールが一直線上に配列するように複数枚積層し、当該一直線上に配列したスルーホールの開口から導電樹脂を加圧供給することにより、一括して導電樹脂を埋め込み封入して各電極パッドを導通する柱状導電樹脂シャフトを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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