特許
J-GLOBAL ID：200903029436384320

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
中西 宏之

中西 宏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314716
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154786
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 リードフレーム10に形成された平板状のダイパッド11と、ダイパッド11の一方の面11aに第1の接着層1を介して接着された第1の半導体チップ7と、ダイパッド11の他方の面11bに第2の接着層2を介して接着された第2の半導体チップ8とを一体に備える半導体集積回路装置において、第1の半導体チップ7と第2の半導体チップ8を互いに確実に電気的に絶縁することができる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 第1の接着層1、第2の接着層2のうちの少なくとも一方(図1では第1の接着層1)が、一定の厚さを持つ絶縁フィルムからなる。
請求項（抜粋）：
リードフレームに形成された平板状のダイパッドと、上記ダイパッドの一方の面に第1の接着層を介して接着された第1の半導体チップと、上記ダイパッドの他方の面に第2の接着層を介して接着された第2の半導体チップとを一体に備えた半導体集積回路装置において、上記第1の接着層、第2の接着層のうちの少なくとも一方が、一定の厚さを持つ絶縁フィルムからなることを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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