特許
J-GLOBAL ID：200903029485473681
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-288548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142490
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 製造が容易で安価な半導体集積回路装置を提供する。【構成】 複数の半導体素子が形成されている半導体基板2上に設けられているボンディングパッド電極3に形成されている金属材料からなるバンプ電極6と、前記バンプ電極6表面に形成されているろう材領域7とをもって、フェースダウンボンディングができる突起電極8が構成されていることから、突起電極8の変形が前記バンプ電極6により一定の状態に保たれると共に、前記ろう材領域7によりフェースダウンボンディングされる回路基板などに対し、高性能な溶融接合ができるものとなる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成されている半導体基板と、前記半導体基板上に形成されているボンディングパッド電極と、前記ボンディングパッド電極に形成されている金属材料からなるバンプと、前記バンプ表面に形成されているろう材領域とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
