特許
J-GLOBAL ID:200903029548833004
太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-150147
公開番号(公開出願番号):特開2000-340812
出願日: 1999年05月28日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 電極の接着強度を向上させるために、特性低下やプロセスコストの増加が発生するという問題あった。【解決手段】 半導体接合部を有する半導体の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池であって、上記表面電極のバスバー部に銅箔を複数個所で接合して設けると共に、この表面電極の上記銅箔との接合部分を他の部分よりも厚く形成する。
請求項(抜粋):
半導体接合部を有する半導体基板の一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に裏面電極を形成した太陽電池において、前記表面電極のバスバー部に銅箔を複数個所で接合して設けると共に、この表面電極の前記銅箔との接合部分を他の部分よりも厚く形成したことを特徴とする太陽電池。
Fターム (7件):
5F051BA11
, 5F051BA17
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA30
引用特許:
審査官引用 (11件)
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太陽電池素子の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-297055
出願人:京セラ株式会社
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特開昭60-239067
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特開昭60-239067
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-289597
出願人:鐘淵化学工業株式会社
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薄膜太陽電池モジュールの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-293727
出願人:富士電機株式会社
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特開平3-283472
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太陽電池モジュール及び該製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-026858
出願人:鐘淵化学工業株式会社
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特開昭60-239067
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特開平3-283472
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特開平4-011786
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特開平4-276665
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