特許

J-GLOBAL ID：200903029570241838

セラミックヒータとその製造方法及びこれを用いたウェハ加熱装置

発明者： 松永 文夫
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018004
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079504
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】高い加熱効率と温度特性の安定した均熱板を有し、絶縁層との密着性を高める。【解決手段】炭化珪素質セラミックスからなる板状体の一方の主面にガラスからなる絶縁層4を備え、該絶縁層4上に加熱源を備えるとともに、該加熱源と電気的に接続される給電部6を具備してなる均熱板3において、上記板状体が平均直径5〜40μmの気孔を有し、平均結晶粒径が5〜40μm、相対密度が90〜99.5%であり、表面部に結晶粒界層が化学的手段で除去された微細な凹凸を有する炭化珪素質セラミックスよりなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平均直径5〜40μmの気孔を有し、平均結晶粒径が5〜40μm、相対密度が90〜99.5%であり、表面部に結晶粒界層が化学的手段で除去された微細な凹凸を有する炭化珪素質セラミックスからなる均熱板の一方の主面に、ガラスからなる絶縁層を備えるとともに、該絶縁層上に加熱源及び該加熱源と電気的に接続される給電部を備えたことを特徴とするセラミックヒータ。

IPC (5件)：

H05B3/10 ,  C04B35/565 ,  H01L21/027 ,  H05B3/20 ,  H05B3/74

FI (7件)：

H05B3/10 C ,  H05B3/20 328 ,  H05B3/74 ,  C04B35/56 101E ,  C04B35/56 101S ,  C04B35/56 101X ,  H01L21/30 567

Fターム (41件)：

3K034AA02 ,  3K034AA15 ,  3K034AA21 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC12 ,  3K034JA01 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB43 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF22 ,  3K092SS12 ,  3K092VV22 ,  3K092VV40 ,  4G001BA22 ,  4G001BA23 ,  4G001BA60 ,  4G001BA61 ,  4G001BB22 ,  4G001BB23 ,  4G001BB60 ,  4G001BB61 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC57 ,  4G001BC71 ,  4G001BC73 ,  4G001BD03 ,  4G001BD16 ,  4G001BD21 ,  4G001BD23 ,  4G001BD33 ,  4G001BD38 ,  4G001BE22 ,  4G001BE33 ,  4G001BE34 ,  4G001BE35 ,  5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-165057   出願人：イビデン株式会社
• 半導体製造・検査装置用セラミック基板および静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-367541   出願人：イビデン株式会社
• セラミックスヒータの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-295666   出願人：日本特殊陶業株式会社
• セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-107859   出願人：京セラ株式会社