半導体素子及び半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192887
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007723
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】従来の素子構造での微細化限界を超えてさらなる素子の微細化を可能にし、それに伴う半導体集積回路(LSI)のさらなる高性能化を実現すること。【解決手段】ソースおよびドレインとゲート下チャネルの間に、ソースおよびドレインの不純物濃度に比し低濃度の不純物拡散領域が、ゲートが延在する中心線に関し非対称な形状で形成されている構造を有する半導体素子およびこれを用いた半導体集積回路。

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン間の電圧の高さに対応して利得係数βが変調されることを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 H , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 102 C , H01L 27/08 321 C , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 E , H01L 27/08 321 K

Fターム (23件)：

5F048AA00 , 5F048AA05 , 5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA25 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BB12 , 5F140BF51 , 5F140BH12 , 5F140BH15 , 5F140BH30

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-093038
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-341860 出願人：ソニー株式会社
特開平4-003468

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