特許
J-GLOBAL ID：200903029624401267
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402340
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203793
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】より結晶欠陥の少ない窒化物系半導体層を含む良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】凹凸形状の表面を有する第1GaN層3を含むサファイア基板1と、第1GaN層3の凹凸形状の表面を覆うとともに、凹凸形状の一方の側面のみを露出するように形成されたマスク層4および5と、露出された一方の側面に接触するとともに、マスク層4および5上に形成された第2GaN層6と、第2GaN層6上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層7〜12とを備えている。
請求項（抜粋）：
凹凸形状の表面を有する第1窒化物系半導体を含む基板と、前記第1窒化物系半導体の凹凸形状の表面を覆うとともに、前記凹凸形状の一方の側面のみを露出するように形成されたマスク層と、前記露出された一方の側面に接触するとともに、前記マスク層上に形成された第2窒化物系半導体層と、前記第2窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備えた、窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01S 5/323 610
H01L 21/205
, H01S 5/323 610
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F045DB06
, 5F073AA13
, 5F073CA01
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA07
, 5F073DA24
, 5F073EA29
