半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089411
公開番号（公開出願番号）：特開2002-288999
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体メモリに不正な書き込み・消去がされた場合に、その原因を究明しやすくする。【解決手段】コマンド記録制御回路は、メモリ動作を実行するために供給されたコマンドのうち、最新に供給された複数のコマンドを記録領域に記録する。コマンド読み出し制御回路は、試験モード時にコマンド記録部に記録されたコマンドを読み出す。半導体メモリに不正なデータが書き込まれ、半導体メモリを搭載するシステムが動作しなくなった場合、コマンド記録部に記録されたコマンドを利用して不具合の原因を効率よく究明できる。この結果、例えば、システムの開発効率を向上でき、システムの開発コストを低減できる。また、システムの品質を向上できる。

請求項（抜粋）：

メモリ動作を実行するために供給されるコマンドを記録する複数の記録領域を有するコマンド記録部と、前記コマンド記録部を制御し、供給された前記コマンドのうち最新に供給された複数の前記コマンドを前記記録領域に記録するコマンド記録制御回路と、試験モード時に前記コマンド記録部を制御し、前記コマンド記録部に記録された前記コマンドを読み出すコマンド読み出し制御回路とを備えたことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/00 673 , G06F 12/16 330 , G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 29/00 673 Z , G06F 12/16 330 D , G11C 17/00 601 E

Fターム (15件)：

5B018GA03 , 5B018KA01 , 5B018NA06 , 5B018QA13 , 5B025AD01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5L106AA10 , 5L106BB01 , 5L106DD11 , 5L106FF04 , 5L106FF05

引用特許：

審査官引用 (5件)

フラッシュメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215931 出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社
フラッシュメモリを有する電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273231 出願人：富士通株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242507 出願人：株式会社リコー

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