特許
J-GLOBAL ID：200903029665144430

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014216
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200932
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】 歩留まりがよく、光取出し効率を向上した窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法は、基板上に、InGaNを含む光溶解層を形成する工程と、光溶解層上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、窒化物半導体層を形成する工程と、少なくともInGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、電解液中で少なくとも一部が露出した光溶解層に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に、InGaNを含む光溶解層を形成する工程と、 前記光溶解層上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、窒化物半導体層を積層する工程と、 少なくとも前記InGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、 電解液中で少なくとも一部が露出した前記光溶解層に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/187 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/28
FI (4件)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/187 ,  H01L21/306 S ,  H01L21/28 301B
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F173AC03 ,  5F173AC15 ,  5F173AF25 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP73 ,  5F173AP76 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR23 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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