特許
J-GLOBAL ID：200903029693939902
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243653
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 熱酸化膜の厚さを薄く抑えつつMOS界面の界面準位密度を低減して素子性能を向上させた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板の表面に熱酸化膜15を形成する工程と、この熱酸化膜15の上に、ポリシリコン膜16を形成する工程と、ポリシリコン膜を酸化させて絶縁膜17を形成する工程とを備え、熱酸化膜15と絶縁膜17とでゲート絶縁膜18を構成するようにした。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板表面に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 F
