特許
J-GLOBAL ID：200903047219580411
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
工業技術院電子技術総合研究所長 (外1名)
, 田中 昭雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252461
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【解決手段】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を形成した後、600〜1600°Cの範囲で水素を含んだ雰囲気でアニールする。【効果】ゲート絶縁膜/炭化珪素界面に存在するシリコン或は炭素のタングリングボンドを水素で終端することにより、界面準位密度を十分に減らして、実際の使用に十分に耐える良好なゲート絶縁膜/炭化珪素界面を得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を形成した後、600〜1600°Cの範囲で水素を含んだ雰囲気でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。【請求項2】水素圧力を0.1Pa〜1.01×105Paにした請求項1記載の方法。【請求項3】ガス雰囲気の圧力を常圧(1.01×105Pa)に固定して、水素濃度(水素流量/(水素流量+不活性ガス流量))が0.5%〜100%にした請求項1記載の方法。【請求項4】不活性ガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウムを使用する請求項3記載の方法。【請求項5】アニール時間を10秒〜3時間にした請求項1或は請求項2或は請求項3或は請求項4記載の方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/324
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/324 Z
5F040DA00
, 5F040DC02
, 5F040EC10
, 5F040FC00
, 5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BB10
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BH01
, 5F058BH20
