半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345279
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。【解決手段】半導体製造装置は、外部との間で基板のやりとりを行うロードロック室1と、基板に所定の処理を施す処理室2と、前記ロードロック室1と処理室2との間で基板の搬送を行う搬送室3とを備える。この半導体製造装置により基板の処理を行う半導体製造方法において、搬送室3を介してロードロック室1から処理室2へ基板を搬送する際に、ロードロック室1と搬送室3と処理室2とに不活性ガス(N2)を供給しつつ排気し、所定の圧力を維持した上で基板の搬送を行う。

請求項（抜粋）：

予備室と外部との間で基板のやりとりを行う工程と、処理室で基板に所定の処理を施す工程と、前記予備室と前記処理室との間に備えられた搬送室を介して基板の搬送を行う工程と、前記基板を搬送する際に、少なくとも基板が存在する室に不活性ガスを供給しつつ排気する工程とを含む半導体製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , B65G 49/00 , C23C 16/44 , H01L 21/02 , H01L 21/3065 , H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/205 , B65G 49/00 A , C23C 16/44 F , H01L 21/02 D , H01L 21/68 A , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体製造装置における室内減圧方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-263479 出願人：国際電気株式会社
特開平4-100222
真空装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275370 出願人：東京エレクトロン株式会社

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