特許
J-GLOBAL ID：200903029719009208

半導体装置およびその製法

発明者：
中村 康一

中村 康一 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067908
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 ステップカバレジの改良が図られたコンタクトホールの形状を有する半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 絶縁膜2の上下に配設される導体6、7または半導体が絶縁膜2に設けられるコンタクトホール4を介して接続される半導体装置であって、コンタクトホール4が2段形状に形成され、該2段形状のコンタクトホール4のそれぞれの側面41、42は共にテーパ形状に形成されると共に、前記2段の下段のテーパの角度θ2は上段のテーパの角度θ1より小さい角度のテーパ形状に形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁膜の上下に配設される導体または半導体が絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して接続される半導体装置であって、前記コンタクトホールが2段形状に形成され、該2段形状のコンタクトホールのそれぞれの側面は共にテーパ形状に形成されると共に、前記2段の下段のテーパの角度は上段のテーパの角度より小さい角度のテーパ形状に形成されてなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 U ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/306 Q
引用特許：
審査官引用 (9件)
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