バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田中清 , 村山みどり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-216564
公開番号（公開出願番号）：特開2006-039569
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】本発明は動作点を設定するためにバイアスを印加するデバイス内に埋められたバイアス電極の付加的なセットを含んだ電気光学変調器の構造に関する。【解決手段】したがって、入力光信号を変調するのに用いられるRF電極はゼロDCバイアスで動作され得、非密閉パッケージ内に存在し得るガルバニック作用および他の作用による電極腐蝕が低減される。埋められたバイアス電極は、結果的に得られるドリフト特性の向上により電荷蓄積を制御する際にも有利である。このバイアス電極材料は、デバイス内で、特に外部端子にバイアス信号をルートさせることに加え、非密閉環境において動作できるように封入層を形成するのにも有用であり、これにより製造コストが抑えられる。XカットおよびZカット・ニオブ酸リチウム(LiNbO3)を用いた実施形態を提供する。後者の場合、バイアス電極は光損を回避するように電極の軸に沿って分割され得る。【選択図】図3a

請求項（抜粋）：

電気光学基板の上面に隣接して形成された光導波路を含む電気光学基板と、前記基板の上面によって支持されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された、間に中間電極ギャップを有する少なくとも1つの信号電極および少なくとも1つの接地電極を含み、前記光導波路内に電界を誘起するRF信号を受け取るように位置決めされた、高導電性のRF電極のセットと、前記光導波路内に電界を誘起するバイアス信号を受け取るように位置決めされ、前記基板とバッファ層との間でかつ前記基板と電気的に接触した状態で形成された、間に中間電極ギャップを有する少なくとも1つの信号電極および少なくとも1つの接地電極を含む、バイアス電極のセットとを備えた電気光学デバイス。

IPC (1件)：

G02F 1/035

FI (1件)：

G02F1/035

Fターム (8件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA05 , 2H079EB04

引用特許：

出願人引用 (12件)

米国特許第5404412号
日本国特許第1789177号
米国特許第5455876号

全件表示

審査官引用 (7件)

導波路型光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-085412 出願人：住友大阪セメント株式会社
特開昭64-082013
光制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186633 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る