特許
J-GLOBAL ID：200903029812856670

誘電体薄膜をCVD形成するための金属アミド前駆体およびアミノシラン前駆体

発明者：
バウム,トーマス,エイチ.

バウム,トーマス,エイチ. について

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シュ,チョンジン

シュ,チョンジン について

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ヘンドリックス,ブライアン,シー.

ヘンドリックス,ブライアン,シー. について

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レーダー,ジェフリー,エフ.

レーダー,ジェフリー,エフ. について


出願人/特許権者：
アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-577835
公開番号（公開出願番号）：特表2004-529495
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
式M(NR1R2)xまたは(I)〔式中、Mは、Zr、Hf、Z、La、ランタニド系列元素、Ta、Ti、またはAlであり、Nは窒素であり、R1およびR2のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、H、アリール、ペルフルオロアリール、C1〜C8アルキル、C1〜C8ペルフルオロアルキル、アルキルシリルから選択され、xは金属Mの酸化状態である。〕で示される金属アミド化合物と、式HxSiAy(NR1R2)4-x-yまたは(II)〔式中、Hは水素であり、xは0〜3であり、Siはケイ素であり、Aはハロゲンであり、Yは0〜3であり、Nは窒素であり、R1およびR2のそれぞれは、同一であるかまたは異なっており、独立して、H、アリール、ペルフルオロアリール、C1〜C8アルキル、およびC1〜C8ペルフルオロアルキルからなる群より選択され、nは1〜6である。〕で示されるアミノシラン化合物と、を用いて、基板上にゲート誘電体薄膜を形成するCVD法。標準的なSiO2ゲート誘電体材料と比較して、これらのゲート誘電体材料を用いると、炭素およびハロゲン化物の不純物レベルが低くなる。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜誘電体を形成するためのCVD前駆体組成物であって、 M(NR1R2)xおよび
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  C23C16/40
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40
Fターム (22件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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