カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブを用いた半導体装置の製造方法、及びカーボンナノチューブの製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077400
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284852
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】所定のバンドギャップを持つカーボンナノチューブを製造する。【解決手段】合成したカーボンナノチューブを酸化ガス含有雰囲気中で、カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的に酸化し、ガス化により消滅させる。あるいは、合成したカーボンナノチューブをフッ化ガス含有雰囲気中で、カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的にフッ化ガスと反応させ、該カーボンナノチューブの少なくとも表面にフッ化層を形成する選択的フッ化処理工程と、酸化ガス含有雰囲気中で、フッ化物が形成されなかったカーボンナノチューブを酸化し、ガス化する酸化処理工程と、ガス化されずに残ったフッ化層を有するカーボンナノチューブからフッ素成分を除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カーボンナノチューブを合成する工程と、酸化ガス含有雰囲気中で、前記カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、前記第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的に酸化し、ガス化する選択的酸化処理工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (4件)：

C01B31/02 , B82B3/00 , H01L29/06 , H01L29/786

FI (6件)：

C01B31/02 101F , B82B3/00 , H01L29/06 601N , H01L29/78 626A , H01L29/78 618B , H01L29/78 622

Fターム (34件)：

4G146AA11 , 4G146AA13 , 4G146AA27 , 4G146AA29 , 4G146AD11 , 4G146AD15 , 4G146AD16 , 4G146AD30 , 4G146BA04 , 4G146BA12 , 4G146BB12 , 4G146BB14 , 4G146BB15 , 4G146BC08 , 4G146BC15 , 4G146BC24 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 5F110AA01 , 5F110BB13 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110EE09 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG55 , 5F110HK02 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

カ-ボンナノチュ-ブを含む物を製造するための方法および切り取られたカ-ボンナノチュ-ブを含むデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015645 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
光照射によるカーボンナノチューブの構造選択法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-000718 出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 日本電気株式会社

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