特許

J-GLOBAL ID：200903029879794599

ウエーハの加工方法

発明者： 源田 悟史 ,  吉川 敏行 ,  大庭 龍吾 ,  古田 健次 ,  北原 信康
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-388104
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150523
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】レーザー光線をウエーハに照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハ20の所定の領域にレーザー光線725を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、ウエーハ20の加工面にレーザー光線725を吸収する樹脂被膜24を被覆する樹脂被膜被覆工程と、該樹脂被膜24を通してウエーハ10の加工面にレーザー光線725を照射するレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程終了後に該樹脂被膜24を除去する樹脂被膜除去工程と、を含む、ことを特徴とするレーザー加工方法。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

ウエーハの所定の領域にレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、 ウエーハの加工面にレーザー光線を吸収する樹脂被膜を被覆する樹脂被膜被覆工程と、 該樹脂被膜を通してウエーハの加工面にレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、 該レーザー光線照射工程終了後に該樹脂被膜を除去する樹脂被膜除去工程と、を含む、 ことを特徴とするレーザー加工方法。

IPC (3件)：

H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/18

FI (4件)：

H01L21/78 L ,  B23K26/00 320E ,  B23K26/18 ,  H01L21/78 B

Fターム (6件)：

4E068AA03 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CF01 ,  4E068CF03 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レーザアブレーション加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006106   出願人：富士通株式会社
• 混成集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295354   出願人：日本電気株式会社
• 機能性膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-148817   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 窒化物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-047864   出願人：松下電器産業株式会社