特許
J-GLOBAL ID：200903056651032017

窒化物半導体チップの製造方法

発明者：
武石 英見

武石 英見 について

, 
亀井 英徳

亀井 英徳 について

, 
品川 修一

品川 修一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047864
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252185
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 割れや欠けの発生を抑制しつつ、高い歩留りでチップサイズを小さくすることができる窒化物半導体チップの製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 主面上において、該主面に直交する任意の2つの劈開面のなす角度が直角とは異なる基板1の主面上に窒化物半導体2が積層されたウエハを、正方形または長方形のチップに切断して分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、ウエハの窒化物半導体2側もしくは基板1側、または窒化物半導体2側と基板1側が互いに合致する位置におけるこれらの両側に、基板1の劈開方向と直交する方向に第一の割り溝を形成し、基板1の劈開方向で且つ第一の割り溝と直交する方向に沿って割ってバーを形成し、バーを第一の割り溝に沿って割ってチップに分離する。
請求項（抜粋）：
主面上において、該主面に直交する任意の2つの劈開面のなす角度が直角とは異なる基板の前記主面上に窒化物半導体が積層されたウエハを、正方形または長方形のチップに切断して分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、前記ウエハの窒化物半導体側もしくは基板側、または窒化物半導体側と基板側が互いに合致する位置におけるこれらの両側に、前記基板の劈開方向と直交する方向に第一の割り溝を形成し、前記基板の劈開方向で且つ前記第一の割り溝と直交する方向に沿って割ってバーを形成し、前記バーを前記第一の割り溝に沿って割ってチップに分離することを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610
FI (5件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/78 U ,  H01L 21/78 Q
Fターム (15件)：
5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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