特許
J-GLOBAL ID：200903029907444914

エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法

発明者：
橋本 充

橋本 充 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197887
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017469
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 エッチングと同一の容器を用いてアッシングを行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチング容器をそのままアッシングに使用するとアッシング後に残渣が残る。【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置1は、チャンバー2内の上部電極11と、この下方に対向して配設され且つウエハWを載置するサセプタ4と、これら両者11、4それぞれに第1、第2の高周波電力を印加する第1、第2の高周波電源20、22と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供給源16とを備え、アッシング時またはエッチング時には第1の高周波電源20から上部電極11に高周波電力を印加すると共に第2の高周波電源22からサセプタ4に高周波電力を印加する。
請求項（抜粋）：
容器内の上部に配設された上部電極と、この上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処理体を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第1、第2の高周波電力を印加する第1、第2の高周波電源と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給するガス供給手段とを備え、アッシング時には第1の高周波電源から上記上部電極に高周波電力を印加すると共に第2の高周波電源から上記下部電極に高周波電力を印加することを特徴とするエッチング兼アッシング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (19件)：
5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BC04 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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