特許
J-GLOBAL ID：200903070794967885

エッチング方法およびプラズマ処理方法

発明者：
萩原 正明

萩原 正明 について

, 
稲沢 剛一郎

稲沢 剛一郎 について

, 
内藤 和香子

内藤 和香子 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241427
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068454
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 Cu層が酸化され難いSiNx層のエッチング方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100の処理室102内に,CH2F2とO2とArから成る処理ガスを導入する。処理ガスの流量比は,CH2F2/O2/Ar=20sccm/10sccm/100sccmに設定する。また,処理室102内の圧力は,50mTorrに設定する。ウェハWが載置された下部電極108に,13.56MHzで500Wの高周波電力を印加する。処理ガスがプラズマ化され,Cu層204上に形成されたSiNx層206がエッチングされる。露出したCu層204は,ほとんど酸化されず,またCやFが打ち込まれない。
請求項（抜粋）：
処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し,前記処理室内に配された被処理体に形成されたCu層上のSiNx層をエッチングするエッチング方法において,前記処理ガスは,CとHとFから構成されるガスと,O2とを含むことを特徴とする,エッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 F ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 N
Fターム (28件)：
5F004AA08 ,  5F004BA07 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004DB13 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM