特許
J-GLOBAL ID：200903029950243230

記憶装置

発明者：
石田 実

石田 実 について

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荒谷 勝久

荒谷 勝久 について

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河内山 彰

河内山 彰 について

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対馬 朋人

対馬 朋人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404088
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166976
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 書き込んだデータを安定に保持することができると共に、少ない電流でデータの書き込み等を行うことができる記憶装置を提供する。【解決手段】 電極1は銀(Ag)、電極2は酸化還元反応活性物質,例えばニッケル(Ni)により形成されている。低抵抗状態にあるとき、電極2に電極1よりも十分に高い電圧を与えると、電極2に含まれる酸化還元反応活性物質(ニッケル)が酸化され、電極2と電極間物質層3との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層4が形成される。これにより電極1と電極2との間が高抵抗状態となり、データの書き込みがなされる。データの消去には、電極1および電極2に書き込みの場合とは逆の電圧を印加することにより、電極反応阻害層4を消滅させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、前記第1電極に対向配置された第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に設けられた電極間物質層と、前記第1電極および第2電極に所定の電圧を印加するための電圧印加手段とを備えた記憶装置であって、 前記第1電極および第2電極に電圧を印加したときの電界の及ぶ領域に、前記電圧の印加により電極反応阻害層となりうる酸化還元反応活性物質を含み、 前記電極反応阻害層は、前記第1電極および第2電極への電圧の印加状態に応じて、前記第2電極と前記電極間物質層との間の界面領域に沿って形成、若しくは消滅され、またはその面積が増減される ことを特徴とする記憶装置。
IPC (3件)：
H01L27/10 ,  G11C16/04 ,  H01L45/00
FI (3件)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 C ,  G11C17/00 622Z
Fターム (8件)：
5B025AA07 ,  5B025AC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公表2002-536840公報
審査官引用 (5件)
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