プラズマ処理方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284297
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】基板表面への電荷蓄積によるデバイスへのダメージを抑制し、かつ高速・異方性エッチングを両立して行うプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】放電用の高周波電界を10〜100μ秒でパルス変調してプラズマを生成し、プラズマ中の基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加する。通常の連続プラズマ放電中では正イオンの10%未満程度の負イオンが生成され、負イオンはアフターグロープラズマ中では正イオンと同程度まで上昇する。この時600kHz以下のRF電界を印加すると質量の重いイオンも十分追従して加速され、基板表面に正イオン・負イオンが半周期ずつ入射する。従って電荷蓄積が抑制され、正イオンだけでなく負イオンもエッチングに寄与でき、エッチング速度が高められる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成室内で高周波によって発生する電場を利用して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うプラズマ処理方法において、パルス停止時間を10〜100μ秒の範囲として放電用高周波電界をパルス変調するとともに、該プラズマ中に設置された基板電極へ600kHz以下のRF電界を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 B , C23F 4/00 D , H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-236629
プラズマエッチング方法とその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-334488 出願人：日本電気株式会社
特開平4-080385

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