配線形成方法および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201859
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】半導体装置の配線用金属膜に含まれる添加元素の吸収金属膜としてTi膜を設け、この上に該金属膜であるAl-1%Si膜3と変形防止膜であるTiN膜6とを150°Cにて順次積層し、さらに400〜450°CにてSiON反射防止膜4を成膜する。あるいは、SiON反射防止膜4を低温成膜した後、析出したSiノジュールを400°C以上でのアニールによりTi膜に吸収させる。【効果】 Ti膜がAl-1%Si膜3中のSiを吸収してAlSiTi三元合金を主体とする界面反応層5に変化するので、最終的には該Al-1%Si膜3中にSiノジュールが残らず、しかもTiN膜6によりヒロックが防止される。この結果、コンタクト不良、エレクトロマイグレーション、配線間の短絡、配線の形状異常等の不良が防止され、半導体装置の信頼性と歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

偏析傾向を有する添加元素を含み、直上もしくは直下に接して該添加元素を吸収し得る吸収金属膜が積層されてなる金属膜を基板上に成膜する工程と、前記金属膜の上層側に酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれる少なくとも1種類のシリコン化合物を主体とする反射防止膜を成膜する工程とを有し、これらの工程のいずれか、もしくはこれらの工程のいずれか終了後において前記添加元素を前記吸収金属膜に吸収させることを特徴とする配線形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-253256
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-316078 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-070455

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