ダイナミック型RAMとメモリモジュール及びそのリフレッシュ方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240729
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306184
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】メモリセルの情報保持時間に合わせて合理的にリフレッシュを行わせる。【構成】ダイナミック型メモリセルのうち最も短い情報保持時間よりも短くされたリフレッシュ周期に対応した周期的なパルスをを計数して複数のワード線に共通に割り当てられてなるリフレッシュアドレスを生成し、かかるリフレッシュアドレスカウンタのキャリー信号を分周回路により分周し、リフレッシュアドレスに割り当てられた複数のワード線毎にタイマ回路の出力パルスに相当した短周期か分周出力パルスに相当した長周期かのいずれか一方を記憶回路に記憶させて、リフレッシュアドレスにより実施されるメモリセルのリフレッシュ動作を記憶回路の記憶情報に対応して各ワード線毎に有効/無効にさせ、分周回路の出力パルスによりかかるリフレッシュ時間設定情報を無効にする。

請求項（抜粋）：

ダイナミック型メモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイと、上記メモリセルの選択動作を行うアドレス選択回路と、外部端子から供給された制御信号又はタイミング信号を受けて動作モードの判定とそれに対応したタイミング信号を形成する制御回路とを備えたダイナミック型RAMにおいて、上記ダイナミック型メモリセルのうち最も短い情報保持時間よりも短くされたリフレッシュ周期に対応した周期的なパルスを発生させるタイマ回路と、かかるタイマ回路の出力パルスを計数して複数のワード線に共通に割り当てられてなるリフレッシュアドレスを生成するリフレッシュアドレスカウンタと、かかるリフレッシュアドレスカウンタのキャリー信号を分周する分周回路と、上記リフレッシュアドレスに割り当てられた複数のワード線毎に、上記タイマ回路の出力パルスに相当したリフレッシュ時間設定情報か上記分周出力パルスに相当したリフレッシュ時間設定情報のいずれか一方を記憶するようにされた記憶回路と、上記リフレッシュアドレスにより実施されるリフレッシュ動作を上記記憶回路に記憶されたリフレッシュ時間設定情報に対応して各ワード線毎に有効/無効にさせ、上記分周回路の出力パルスによりかかるリフレッシュ時間設定情報を無効にしてなる適応リフレッシュコントローラを設けてなることを特徴とするダイナミック型RAM。

引用特許：

審査官引用 (9件)

ダイナミック型半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-064432 出願人：日本電気株式会社
特開平3-250489
ダイナミック型メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-201011 出願人：日本電気株式会社

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