Siバルク多結晶の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：重信和男 , 内野春喜 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244013
公開番号（公開出願番号）：特開2008-063194
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】本発明は、キャスト成長法において、Siバルク多結晶の方位を{110}面のみに揃えることができる、簡便なSiバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】ルツボを用いたSiバルク多結晶の融液成長において、Si融液にGeを添加し、成長初期にルツボ底面に沿って<112>方向に伸びるデンドライト結晶を発現させ、デンドライト結晶の上面を{110}面とした後、上記デンドライト結晶の上面にSiバルク多結晶を成長させることを特徴とする、結晶粒方位の揃ったSiバルク多結晶の作製方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ルツボを用いたSiバルク多結晶の融液成長において、Si融液にGeを添加し、成長初期にルツボ底面に沿って<112>方向に伸びるデンドライト結晶を発現させ、デンドライト結晶の上面を{110}面とした後、上記デンドライト結晶の上面にSiバルク多結晶を成長させることを特徴とする、結晶粒方位の揃ったSiバルク多結晶の作製方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 , H01L 31/04 , C30B 28/06

FI (3件)：

C30B29/06 501Z , H01L31/04 X , C30B28/06

Fターム (16件)：

4G077AA02 , 4G077AA07 , 4G077AB02 , 4G077BA04 , 4G077CD08 , 4G077EA01 , 4G077EC08 , 4G077EG02 , 4G077EH07 , 4G077EH09 , 4G077HA01 , 4G077MB14 , 4G077MB33 , 5F051AA03 , 5F051AA16 , 5F051CB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

高品質多結晶シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-370347 出願人：JFEスチール株式会社
特願2005-345042号

引用文献：

審査官引用 (2件)

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