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J-GLOBAL ID:200902263874296980   整理番号:05A0892653

Si系単結晶・多結晶 太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長および太陽電池特性-多結晶Siの融液成長過程のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価-

In-situ Observation of Melt Growth Behaviors of Polycrystalline Si and Evaluation of Structural and Solar Cell Properties of Bulk Polycrystalline SiGe
著者 (8件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 291-296  発行年: 2005年09月30日 
JST資料番号: F0452B  ISSN: 0385-6275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Siの融液成長過程の直接観察可能な装置を開発し,その装置を用...
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分類 (1件):
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半導体の結晶成長 
引用文献 (26件):
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