特許
J-GLOBAL ID：200903030017627688

シリコンウェーハの熱処理方法及び該方法で処理したシリコンウェーハ

発明者：
ロベルト ヘルツル

ロベルト ヘルツル について

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クリストフ ゾイリング

クリストフ ゾイリング について

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ラインホルト ヴァーリヒ

ラインホルト ヴァーリヒ について

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ヴィルフリート フォン アモン

ヴィルフリート フォン アモン について


出願人/特許権者：
ワッカー ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト

ワッカー ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-029617
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297840
出願日： 2003年02月06日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術の欠点を有せず、かつ経済的に実施され、さらに表面近くの領域においてのみCOPs不含であるのでなく、ウェーハ厚さの主要部分にわたりCOPs不含であるシリコンウェーハの熱処理方法及び該方法により得られたシリコンウェーハを提供する。【解決手段】 該製造方法は、シリコンウェーハを少なくとも一時的に酸素含有雰囲気に曝し、その際熱処理を、請求項1に定義した不等式:【数1】を満足するように選択した温度で実施する。該シリコンウェーハは、バルク内に少なくとも107cm-3の酸素析出のための核形成中心の密度、及びウェーハ表側面に少なくとも1μmの厚さを有する核形成中心不含のゾーン並びにウェーハ厚さの少なくとも50%に相当する深さまで10000cm-3未満のCOPs密度を有する。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを少なくとも一時的に酸素含有雰囲気に曝し、その際熱処理を、不等式:【数1】[式中、[Oi]はシリコンウェーハ内の酸素濃度、[Oi]eq(T)は温度Tにおけるシリコン内の酸素の縁部溶解度、σSiO2は二酸化シリコンの表面エネルギー、Ωは析出した酸素原子の体積、rは平均COP半径及びkはボルツマン定数を表す]が満足されるように選択した温度で行うことを特徴とする、シリコンウェーハの熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/324
FI (2件)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • EP829559A1
  • WO98/38675
  • DE19924649A1
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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