特許
J-GLOBAL ID：200903072914507371

シリコンウェーハの製造方法及びその方法により製造されたシリコンウェーハ

発明者：
中田 嘉信

中田 嘉信 について

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白木 弘幸

白木 弘幸 について

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塩多 孝明

塩多 孝明 について

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降屋 久

降屋 久 について

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ジェア-グン パーク

ジェア-グン パーク について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016071
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 点欠陥の凝集体が存在せず、かつゲッタリング能力を有するIG層を形成する。【解決手段】 格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域[I]に隣接し点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域[V]に隣接し領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、[PV]又は[PI]のいずれか一方又は双方の領域からなり酸素濃度が0.5×1018〜1.1×1018atoms/cm3(旧ASTM)である窒素ドープされたウェーハを、窒素等の雰囲気下で室温から1250°Cまで40°C/秒の昇温速度で加熱し、1250°Cで0〜10秒間保持し、更に1250°Cから室温まで50°C/秒の降温速度で冷却する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により窒素が1×1010〜1×1014atoms/cm3ドープされたシリコン単結晶インゴットを育成し、前記インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を[I]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を[V]とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記パーフェクト領域[P]からなるインゴットから切出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法であって、前記領域[I]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、前記領域[V]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、前記領域[PV]又は前記領域[PI]のいずれか一方の領域又は双方の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.5×1018〜1.1×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記インゴットから切出されたシリコンウェーハを窒素、アルゴン、水素、酸素又はこれらの混合ガス雰囲気下で室温から1100〜1300°Cまで10〜100°C/秒の昇温速度で加熱し、1100〜1300°Cで0〜10秒間保持し、更に1100〜1300°Cから室温まで10〜100°C/秒の降温速度で冷却することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/26
FI (4件)：
H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 B ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/26 F
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077CF10 ,  4G077FE02 ,  4G077FE03 ,  4G077FE05 ,  4G077FE12 ,  4G077FE13
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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