特許
J-GLOBAL ID：200903071565019295
シリコン単結晶ウエーハの熱処理方法ならびにシリコン単結晶ウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364142
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186277
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 COP等のウエーハ表面、表層部に存在する結晶欠陥を最小限に抑えたシリコン単結晶ウエーハを作製し、酸化膜耐圧、信頼性試験等の電気特性に優れたデバイス用シリコン単結晶ウエーハを提供する。そして、適切なシリコン単結晶引上げ条件と水素アニール処理条件とを組合せて、無欠陥シリコン単結晶ウエーハの生産性の向上、水素ガスの少量化、コストダウン等を達成する。【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶棒を成長させて得たシリコン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、単結晶の成長速度を0.6mm/min 以上として引上げて得られた、含有酸素濃度が16ppma以下で、かつ1個のサイズが60〜130nm で空洞のCOPが高密度に存在する単結晶棒から得られたウエーハに対して、急速加熱・急速冷却装置を用いて1200°C以上、1秒以上、あるいはバッチ式熱処理炉で1200°C以上、30分以上のアニール熱処理を行うシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法と無欠陥シリコン単結晶ウエーハ。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶棒を成長させ、該単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、シリコン単結晶の成長速度を0.6mm/min以上として引上げて得られた、含有酸素濃度が16ppma以下のCOPが高密度に存在するシリコン単結晶棒からスライスして得られたウエーハに対して、急速加熱・急速冷却装置を用いて1200°C以上の温度で、1秒間以上のアニール熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, C30B 33/02
, H01L 21/02
, H01L 21/26
H01L 21/324 X
, C30B 33/02
, H01L 21/02 B
, H01L 21/26 F
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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