半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石川泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044420
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254298
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】半導体記憶装置、特に冗長回路を備える半導体記憶装置に関し、ブロック毎に独立した冗長動作を行う場合に、アクセス遅延を生じることがなく、且つ、冗長回路の占める面積が小さい半導体記憶装置を提供する。【構成】情報を記憶するためのメモリセルが複数のブロックに分割された半導体記憶装置において、分割されたそれぞれのブロックに対して独立した冗長動作が可能な冗長回路20含み、冗長回路20は冗長動作を行うべきアドレスを記憶する冗長アドレス記憶回路22を備えており、冗長アドレス記憶回路22は、冗長アドレスメモリ46と、電源投入時に該冗長アドレスメモリ46に記憶されている冗長アドレスをラッチする冗長アドレスラッチ回路56と、を有するように構成する。

請求項（抜粋）：

情報を記憶するためのメモリセルが複数のブロックに分割された半導体記憶装置において、前記分割されたそれぞれのブロックに対して独立した冗長動作が可能な冗長回路(20)含み、該冗長回路(20)は冗長動作を行うべきアドレスを記憶する冗長アドレス記憶回路(22)を備えており、前記冗長アドレス記憶回路(22)は、冗長アドレスメモリ(46)と、電源投入時に該冗長アドレスメモリ(46)に記憶されている冗長アドレスをラッチする冗長アドレスラッチ回路(56)と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 , H01L 21/82

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-184256 出願人：富士通株式会社
特開平4-274096
特開平3-150798

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