特許
J-GLOBAL ID:200903030041230233

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-284498
公開番号(公開出願番号):特開2003-092283
出願日: 2001年09月19日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】 デバイスに損傷を与えることなく処理性能を高く維持できるという液滴ノズルによる基板処理の利点を維持しつつ、さらに基板の処理速度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 スピンチャック10に保持されたウエハWの上方側には、液滴ノズル21および処理液ノズル31が配置されている。処理液ノズル31からウエハ上面Waのほぼ全域に弗酸が供給されつつ、液滴ノズル21からウエハ上面Waに向けて液滴が供給される。また、液滴ノズル21は旋回駆動機構25によって旋回されるようになっている。
請求項(抜粋):
所定の回転軸を中心に基板を保持しつつ回転させる保持回転部と、この保持回転部によって保持されている基板の一方面に対して、処理液とガスとが混合されて生成された液滴を供給する液滴ノズルと、この液滴ノズルとは別に設けられ、上記基板の一方面に対して、上記液滴ノズルからの液滴に含まれる処理液と同種の処理液を供給する処理液ノズルと、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (11件):
H01L 21/306 ,  B05B 1/02 102 ,  B05B 7/24 ,  B05B 13/04 ,  B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 643
FI (11件):
B05B 1/02 102 ,  B05B 7/24 ,  B05B 13/04 ,  B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B08B 3/02 B ,  B08B 3/08 Z ,  B08B 3/10 Z ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/306 J ,  H01L 21/30 569 C
Fターム (42件):
3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB34 ,  3B201AB47 ,  3B201BB23 ,  3B201BB24 ,  3B201BB38 ,  3B201BB44 ,  3B201BB82 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  4F033AA14 ,  4F033BA03 ,  4F033CA07 ,  4F033HA01 ,  4F033QA05 ,  4F033QB02Y ,  4F033QB03X ,  4F033QB13Y ,  4F033QB17 ,  4F033QC04 ,  4F033QD03 ,  4F035AA04 ,  4F035BC01 ,  4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA42 ,  4F041BA46 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042EB11 ,  4F042EB17 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA13
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 基板のエッチング方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-003764   出願人:株式会社岡本工作機械製作所
  • 特開昭59-145065
  • 特開昭56-148831
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審査官引用 (3件)
  • 洗浄装置および洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-127984   出願人:三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
  • 特開昭59-145065
  • 基板表面処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-088027   出願人:エム・セテック株式会社

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