特許
J-GLOBAL ID：200903030051509430
単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068361
公開番号（公開出願番号）：特開2004-137142
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】転位密度が小さく、格子不整合が少なく、結晶性が優れており、その膜上に発光効率が優れたIII族窒化物膜を形成することができ、そしてIII族窒化物膜用下地基板、発光素子並びに表面弾性波デバイスに用いられる単結晶窒化アルミニウム膜を提供すること。【解決手段】サファイア基板の如き単結晶α-Al2O3基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が108個/cm2以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。カーボン、窒素および一酸化炭素の存在下に、基板を加熱処理することにより窒化して上記単結晶窒化アルミニウム膜並びに単結晶窒化アルミニウム積層基板が形成される。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
単結晶α-Al2O3基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が108個/cm2以下であることを特徴とする単結晶窒化アルミニウム積層基板。
IPC (4件)：
C30B29/38
, C30B25/18
, H01L21/205
, H01L33/00
C30B29/38 C
, C30B25/18
, H01L21/205
, H01L33/00 C
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE13
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA73
, 5F045AA20
, 5F045AB09
, 5F045AC00
, 5F045AC15
, 5F045AD18
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045CA12
